| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| TK8A65D | Toshiba(东芝) | Switching Regulator Applications | 下载 |
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba(东芝) | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS | 下载 |
| TK8A65DSTA4QM | Toshiba(东芝) | DIN Rail Power Supplies 48W 24V 2A | 下载 |
| TK8A65W | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| TK8A65W,S5X | Toshiba(东芝) | MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS | 下载 |
Switching Regulator Applications
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | SC-67 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 雪崩能效等级(Eas) | 416 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.84 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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