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eeworld网站中关于si44+有797个元器件。有SI4401BDY、SI4401BDY_13等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4401BDY Vishay(威世) P-Channel 40-V (D-S) MOSFET 下载
SI4401BDY_13 Vishay(威世) P-Channel 40-V (D-S) MOSFET 下载
SI4401BDY_17 Vishay(威世) P-Channel 40-V (D-S) MOSFET 下载
SI4401BDY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
SI4401BDY-T1-E3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-8.7A,0.014Ω@-10V 下载
SI4401BDY-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 下载
SI4401DD_V01 Vishay(威世) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
SI4401DDY Vishay(威世) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
SI4401DDY 深圳杜因特(DOINGTER) P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 下载
SI4401DDY-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.1A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.3W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V 下载
SI4401DY Vishay(威世) MOSFET 40V 10.5A 3W 下载
SI4401DY-E3 Vishay(威世) MOSFET 40V 10.5A 3W 下载
SI4401DY-T1 Vishay(威世) MOSFET 40V 10.5A 3W 下载
SI4401DY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 40V 10.5A 3W 下载
SI4401DY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
SI4401DY-T1-GE3 Vishay(威世) Fixed Inductors 4.7uH 20% upto 2MHz 下载
SI4401FDY Vishay(威世) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 下载
Si4401FDY-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 下载
SI4403BD Vishay(威世) 7300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA 下载
SI4403BD_13 Vishay(威世) 7300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA 下载
SI4403BDY Vishay(威世) P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 下载
SI4403BDY-E3 Vishay(威世) Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 下载
SI4403BDY-T1 Vishay(威世) P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 下载
SI4403BDY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 20V 9A 2.5W 下载
SI4403BDY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 下载
SI4403BDY-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 20V 9.9A 2.5W 17mohm @ 4.5V 下载
SI4403CD_V01 Vishay(威世) P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 下载
SI4403CDY Vishay(威世) P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 下载
SI4403CDY-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 1.8V P-Channel 下载
关于si44+相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI4410DY 、 SI4410DYD84Z 、 SI4410DYD84Z 、 SI4410DYF011 、 SI4410DYL86Z 下载文档
SI4410DY 、 SI4410DY,118 、 SI4410DY,518 下载文档
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SI4410DY-REVA 、 SI4410DY-T1-A-E3 、 SI4410DY-T1-REVA 下载文档
SI4410BDY 、 SI4410BDY-E3 、 SI4410BDY-T1 下载文档
SI4410DY-E3 、 SI4410DY-T1 下载文档
SI4408DY 、 SI4408DY-T1 下载文档
SI4410DY,118 、 SI4410DY,518 下载文档
SI4403DY-E3 、 SI4403DY-T1-E3 下载文档
SI4404DY-E3 、 SI4404DY-T1-E3 下载文档
si44+资料比对:
型号 SI4410DY SI4410DYD84Z ADC08D1520QML-SP_17 SI4410DYF011 SI4410DYL86Z
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 Low Power, 8-Bit, Dual 1.5 GSPS or Single 3.0 GSPS A/D Converter Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
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