器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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SI4401BDY | Vishay(威世) | P-Channel 40-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401BDY_13 | Vishay(威世) | P-Channel 40-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401BDY_17 | Vishay(威世) | P-Channel 40-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401BDY-T1-E3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-8.7A,0.014Ω@-10V | 下载 |
SI4401BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | 下载 |
SI4401DD_V01 | Vishay(威世) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401DDY | Vishay(威世) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401DDY | 深圳杜因特(DOINGTER) | P-Channel MOSFET uses advanced trench technology | 下载 |
SI4401DDY-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.1A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.3W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V | 下载 |
SI4401DY | Vishay(威世) | MOSFET 40V 10.5A 3W | 下载 |
SI4401DY-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 40V 10.5A 3W | 下载 |
SI4401DY-T1 | Vishay(威世) | MOSFET 40V 10.5A 3W | 下载 |
SI4401DY-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 40V 10.5A 3W | 下载 |
SI4401DY-T1-E3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4401DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | Fixed Inductors 4.7uH 20% upto 2MHz | 下载 |
SI4401FDY | Vishay(威世) | P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | 下载 |
Si4401FDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 | 下载 |
SI4403BD | Vishay(威世) | 7300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA | 下载 |
SI4403BD_13 | Vishay(威世) | 7300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA | 下载 |
SI4403BDY | Vishay(威世) | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | 下载 |
SI4403BDY-E3 | Vishay(威世) | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | 下载 |
SI4403BDY-T1 | Vishay(威世) | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | 下载 |
SI4403BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 20V 9A 2.5W | 下载 |
SI4403BDY-T1-E3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4403BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET 20V 9.9A 2.5W 17mohm @ 4.5V | 下载 |
SI4403CD_V01 | Vishay(威世) | P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET | 下载 |
SI4403CDY | Vishay(威世) | P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET | 下载 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET 1.8V P-Channel | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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SI4410DY 、 SI4410DYD84Z 、 SI4410DYD84Z 、 SI4410DYF011 、 SI4410DYL86Z | 下载文档 |
SI4410DY 、 SI4410DY,118 、 SI4410DY,518 | 下载文档 |
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SI4410DY-REVA 、 SI4410DY-T1-A-E3 、 SI4410DY-T1-REVA | 下载文档 |
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SI4408DY 、 SI4408DY-T1 | 下载文档 |
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SI4403DY-E3 、 SI4403DY-T1-E3 | 下载文档 |
SI4404DY-E3 、 SI4404DY-T1-E3 | 下载文档 |
型号 | SI4410DY | SI4410DYD84Z | ADC08D1520QML-SP_17 | SI4410DYF011 | SI4410DYL86Z |
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描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 | Low Power, 8-Bit, Dual 1.5 GSPS or Single 3.0 GSPS A/D Converter | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 |
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