| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SI2369D | Vishay(威世) | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
| SI2369DS | Vishay(威世) | Material categorization | 下载 |
| SI2369DS | KEXIN | P-Channel MOSFET | 下载 |
| SI2369DS-HF | KEXIN | P-Channel MOSFET | 下载 |
| SI2369DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | 下载 |
| SI2369DS-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
| SI2369DS_V01 | Vishay(威世) | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| Samacsys Description | VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.029 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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