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si2369d

在7个相关元器件中,si2369d有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SI2369D Vishay(威世) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SI2369DS Vishay(威世) Material categorization 下载
SI2369DS KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2369DS-HF KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2369DS-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 下载
SI2369DS-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SI2369DS_V01 Vishay(威世) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
si2369d的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
Samacsys DescriptionVISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)7.6 A
最大漏源导通电阻0.029 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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