电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

irfu9024

eeworld网站中关于irfu9024有20个元器件。有IRFU9024、IRFU9024等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFU9024 ISC isc P-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFU9024 International Rectifier ( Infineon ) 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024 Vishay(威世) MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp 下载
IRFU9024 Kersemi Electronic 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024 SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 下载
IRFU9024N International Rectifier ( Infineon ) 11 A, 55 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRFU9024N Infineon(英飞凌) MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK 下载
IRFU9024N Kersemi Electronic Ultra Low On-Resistance 下载
IRFU9024N ISC isc P-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFU9024NC Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3 下载
IRFU9024NC International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3 下载
IRFU9024NCPBF International Rectifier ( Infineon ) 11 A, 55 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024NCPBF Kersemi Electronic 11 A, 55 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024NCPBF Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 下载
IRFU9024NPBF International Rectifier ( Infineon ) 11 A, 55 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024NPBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:175mΩ @ 6.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:P沟道 MOSFET P-CH 55V 11A 下载
IRFU9024NPBF Kersemi Electronic 11 A, 55 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU9024PBF International Rectifier ( Infineon ) 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 下载
IRFU9024PBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道 P沟道 60V 8.8A 下载
IRFU9024PBF Kersemi Electronic 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 下载
关于irfu9024相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFU9024NC 、 IRFU9024NC 、 IRFU9024NCPBF 下载文档
IRFU9024N 、 IRFU9024NPBF 下载文档
IRFU9024NPBF 下载文档
IRFU9024NPBF 下载文档
IRFU9024PBF 下载文档
IRFU9024PBF 下载文档
IRFU9024PBF 下载文档
IRFU9024NCPBF 下载文档
IRFU9024 下载文档
IRFU9024 下载文档
irfu9024资料比对:
型号 IRFU9024NC IRFU9024NC IRFU9024NCPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 PLASTIC, IPAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 62 mJ 62 mJ 62 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.175 Ω 0.175 Ω 0.175 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-251AA TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A 44 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
最高工作温度 150 °C - 150 °C
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1Y 2W 7X AN BQ EH GR GX LW OS Q0 RK UP XY ZA

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved