| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IRF7606 | International Rectifier ( Infineon ) | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm) | 下载 |
| IRF7606PBF | International Rectifier ( Infineon ) | 3.6 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| IRF7606PBF_15 | International Rectifier ( Infineon ) | Generation V Technology | 下载 |
| IRF7606TR | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8 | 下载 |
| IRF7606TR | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 | 下载 |
| IRF7606TRHR | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8, SOIC-8 | 下载 |
| IRF7606TRPBF | Infineon(英飞凌) | MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 | 下载 |
| IRF7606TRPBF | International Rectifier ( Infineon ) | mosfet mosft pch -30v -3.6A 90mohm 20nc micro 8 | 下载 |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 29 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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