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irf7606

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器件名 厂商 描 述 功能
IRF7606 International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm) 下载
IRF7606PBF International Rectifier ( Infineon ) 3.6 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF7606PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Generation V Technology 下载
IRF7606TR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8 下载
IRF7606TR Infineon(英飞凌) MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 下载
IRF7606TRHR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8, SOIC-8 下载
IRF7606TRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 下载
IRF7606TRPBF International Rectifier ( Infineon ) mosfet mosft pch -30v -3.6A 90mohm 20nc micro 8 下载
irf7606的相关参数为:

器件描述

Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm)

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)29 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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