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idt71342la25pfi

在3个相关元器件中,idt71342la25pfi有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IDT71342LA25PFI IDT(艾迪悌) 4K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 下载
IDT71342LA25PFI IDT (Integrated Device Technology) Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 下载
IDT71342LA25PFI8 IDT (Integrated Device Technology) Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 下载
idt71342la25pfi的相关参数为:

器件描述

Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, TQFP-64
针数64
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G64
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量64
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP64,.66SQ,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
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