| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| D10NF10 | ST(意法半导体) | 13 A, 100 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 下载 |
13 A, 100 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 加工封装描述 | DPAK-3 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子涂层 | MATTE 锡 |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | DRAIN |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 13 A |
| 额定雪崩能量 | 70 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 0.1300 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 52 A |
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