| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| AO4449 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
| AO4449 | AOS | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | 下载 |
| AO4449 | WHXPCB | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
| AO4449 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
| AO4449 | KEXIN | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
| AO4449_11 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | 30V P-Channel MOSFET | 下载 |
| AO4449-HF | KEXIN | P-Channel MOSFET | 下载 |
| AO4449L | AOS | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | 下载 |
| AO4449L | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | Transistor | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| AO4449 、 AO4449L | 下载文档 |
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| 型号 | AO4449 | AO4449L |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC |
| FET 类型 | P 沟道 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 7A(Ta) | 7A(Ta) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 34 毫欧 @ 7A,10V | 34 毫欧 @ 7A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V | 16nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 910pF @ 15V | 910pF @ 15V |
| 功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) | 3.1W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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