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ao4449

eeworld网站中关于ao4449有9个元器件。有AO4449、AO4449等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
AO4449 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO4449 AOS MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC 下载
AO4449 WHXPCB 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO4449 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
AO4449 KEXIN 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO4449_11 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) 30V P-Channel MOSFET 下载
AO4449-HF KEXIN P-Channel MOSFET 下载
AO4449L AOS MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC 下载
AO4449L Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Transistor 下载
关于ao4449相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
AO4449 、 AO4449L 下载文档
AO4449_11 下载文档
AO4449L 下载文档
AO4449-HF 下载文档
AO4449 下载文档
AO4449 下载文档
AO4449 下载文档
ao4449资料比对:
型号 AO4449 AO4449L
描述 MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
FET 类型 P 沟道 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta) 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 34 毫欧 @ 7A,10V 34 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 10V 16nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 15V 910pF @ 15V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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