器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
TK28A65W | ISC | Isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
TK28A65WS5X | Toshiba(东芝) | MOSFET Power MOSFET N-Channel | 下载 |
TK28A65W,S5X | Toshiba(东芝) | MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS | 下载 |
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 27.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 110 毫欧 @ 13.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.6mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 75nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3000pF @ 300V |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
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