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TK28A65W

在3个相关元器件中,TK28A65W有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
TK28A65W ISC Isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
TK28A65WS5X Toshiba(东芝) MOSFET Power MOSFET N-Channel 下载
TK28A65W,S5X Toshiba(东芝) MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS 下载
TK28A65W的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)27.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)110 毫欧 @ 13.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)75nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3000pF @ 300V
功率耗散(最大值)45W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220SIS
封装/外壳TO-220-3 整包
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