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TGF2160

在3个相关元器件中,TGF2160有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
TGF2160 TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo) RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER 下载
TGF2160 Qorvo RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE 下载
TGF2160_15 TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo) 1600um Discrete GaAs pHEMT 下载
TGF2160的相关参数为:

器件描述

RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE

参数
参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Qorvo
产品种类
Product Category
RF JFET Transistors
RoHSDetails
Transistor TypepHEMT
技术
Technology
GaAs
Gain10.4 dB
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage12 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 7 V
Id - Continuous Drain Current517 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
5.6 W
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
系列
Packaging
Gel Pack
ConfigurationDual
Operating Frequency20 GHz
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 65 C to + 150 C
产品
Product
RF JFET
类型
Type
GaAs pHEMT
Forward Transconductance - Min619 mS
Number of Channels2 Channel
P1dB - Compression Point32.5 dBm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100
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