器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SiHD3N50D-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | 下载 |
SIHD3N50D-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | Power MOSFET | 下载 |
MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown |
雪崩能效等级(Eas) | 9 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 3.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 104 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 5.5 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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