电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

SUP53P06-20-E3

在1个相关元器件中,SUP53P06-20-E3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SUP53P06-20-E3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.2A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道 下载
SUP53P06-20-E3的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.2A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道

参数
参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220AB
包装说明,
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionVISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P, TO-220
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0T 3P 3V 63 6U 7i 96 9G AL EL IQ ML QX XB ZT

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved