| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| STTH4R02UY | ST(意法半导体) | 反向恢复时间(trr):20ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.05V @ 4A 200V 4A | 下载 |
反向恢复时间(trr):20ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.05V @ 4A 200V 4A
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | SMB, 2 PIN |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 11 weeks |
| Samacsys Description | Rectifiers Ultrafast Recovery4A 200V 16ns Planar Pt |
| 其他特性 | FREE WHEELING DIODE |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.05 V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 70 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大输出电流 | 4 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 最大反向电流 | 3 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.03 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved