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STP2NC70FP

eeworld网站中关于STP2NC70FP有2个元器件。有STP2NC70Z、STP2NC70ZFP等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
STP2NC70Z ST(意法半导体) N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET 下载
STP2NC70ZFP ST(意法半导体) N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET 下载
关于STP2NC70FP相关文档资料:
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STP2NC70FP资料比对:
型号 STP2NC70ZFP STP2NC70Z
描述 N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 TO-220FP SFM
包装说明 TO-220FP, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
雪崩能效等级(Eas) 60 mJ 60 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 700 V 700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.4 A 1.4 A
最大漏极电流 (ID) 1.4 A 1.4 A
最大漏源导通电阻 8.5 Ω 8.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 5.6 A 5.6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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