| 型号 |
STP2NC70ZFP |
STP2NC70Z |
| 描述 |
N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| 是否无铅 |
不含铅 |
不含铅 |
| 是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
| 厂商名称 |
ST(意法半导体) |
ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 |
TO-220FP |
SFM |
| 包装说明 |
TO-220FP, 3 PIN |
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 |
3 |
3 |
| Reach Compliance Code |
_compli |
_compli |
| 雪崩能效等级(Eas) |
60 mJ |
60 mJ |
| 外壳连接 |
ISOLATED |
ISOLATED |
| 配置 |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 |
700 V |
700 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) |
1.4 A |
1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID) |
1.4 A |
1.4 A |
| 最大漏源导通电阻 |
8.5 Ω |
8.5 Ω |
| FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 |
R-PSFM-T3 |
R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
| 元件数量 |
1 |
1 |
| 端子数量 |
3 |
3 |
| 工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
| 封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
| 封装形式 |
FLANGE MOUNT |
FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 |
N-CHANNEL |
N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) |
25 W |
50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) |
5.6 A |
5.6 A |
| 认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
| 表面贴装 |
NO |
NO |
| 端子面层 |
Matte Tin (Sn) |
Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 |
THROUGH-HOLE |
THROUGH-HOLE |
| 端子位置 |
SINGLE |
SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 |
SWITCHING |
SWITCHING |
| 晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |