| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SSM6J511NU | Toshiba(东芝) | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) | 下载 |
| SSM6J511NULF | Toshiba(东芝) | MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch | 下载 |
| SSM6J511NU,LF | Toshiba(东芝) | 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:9.1mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | 下载 |
漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:9.1mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 14A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 9.1mΩ @ 4A,8V |
| 最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W |
| 类型 | P沟道 |
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