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SSM6J511NU

在3个相关元器件中,SSM6J511NU有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SSM6J511NU Toshiba(东芝) MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) 下载
SSM6J511NULF Toshiba(东芝) MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch 下载
SSM6J511NU,LF Toshiba(东芝) 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:9.1mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 下载
SSM6J511NU的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:9.1mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A
栅源极阈值电压1V @ 1mA
漏源导通电阻9.1mΩ @ 4A,8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道
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