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SSF6010

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器件名 厂商 描 述 功能
SSF6010 SILIKRON Power switching application 下载
SSF6010 苏州固锝(Good-Ark) Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN 下载
SSF6010 Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010_15 Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010A SILIKRON Advanced trench process technology 下载
SSF6010A 苏州固锝(Good-Ark) Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 下载
SSF6010A Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010A_15 Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010G Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010G_15 Good-Ark 60V N-Channel MOSFET 下载
SSF6010的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

参数
参数名称属性值
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)220 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)64 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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