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SQ2318AES-T1-GE3

在2个相关元器件中,SQ2318AES-T1-GE3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SQ2318AES-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET N-Channel 40V Automotive MOSFET 下载
SQ2318AES-T1_GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,40V,8A,0.031Ω@10V 下载
SQ2318AES-T1-GE3的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Channel 40V Automotive MOSFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.031 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)46 pF
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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