器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SQ2303ES-T1-GE3 | Vishay(威世) | Switching Voltage Regulators | 下载 |
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道 | 下载 |
SQ2303ES-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
Switching Voltage Regulators
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | SOT-23 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.17 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 35 pF |
JEDEC-95代码 | TO-236 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
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