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SQ2303ES-T1_GE3

在3个相关元器件中,SQ2303ES-T1_GE3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SQ2303ES-T1-GE3 Vishay(威世) Switching Voltage Regulators 下载
SQ2303ES-T1_GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道 下载
SQ2303ES-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SQ2303ES-T1_GE3的相关参数为:

器件描述

Switching Voltage Regulators

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)35 pF
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
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