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SPW35N60CFD

eeworld网站中关于SPW35N60CFD有4个元器件。有SPW35N60CFD、SPW35N60CFD等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SPW35N60CFD Infineon(英飞凌) 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 1536 RAM 34I/O 下载
SPW35N60CFD ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
SPW35N60CFD_08 Infineon(英飞凌) 34.1 A, 600 V, 0.118 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AA 下载
SPW35N60CFDFKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247 下载
关于SPW35N60CFD相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SPW35N60CFD 、 SPW35N60CFDFKSA1 下载文档
SPW35N60CFD_08 下载文档
SPW35N60CFD资料比对:
型号 SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD
描述 MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 1536 RAM 34I/O
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-247AA TO-247AA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ 1300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 34.1 A 34.1 A
最大漏源导通电阻 0.118 Ω 0.118 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AA TO-247AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 85 A 85 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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