器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SPD30N08S2-22 | Infineon(英飞凌) | OptiMOS Power-Transistor | 下载 |
SPD30N08S2-22 | Rochester Electronics | 30A, 75V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 | 下载 |
SPD30N08S2-22-E6327 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.0215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 | 下载 |
SPD30N08S222NTMA1 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 | 下载 |
30A, 75V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | TO-252 |
包装说明 | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 240 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 75 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0215 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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