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SPD30N08S2-22

在4个相关元器件中,SPD30N08S2-22有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SPD30N08S2-22 Infineon(英飞凌) OptiMOS Power-Transistor 下载
SPD30N08S2-22 Rochester Electronics 30A, 75V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 下载
SPD30N08S2-22-E6327 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.0215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 下载
SPD30N08S222NTMA1 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3 下载
SPD30N08S2-22的相关参数为:

器件描述

30A, 75V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

参数
参数名称属性值
零件包装代码TO-252
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)240 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.0215 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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