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SMS12T1G

在2个相关元器件中,SMS12T1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SMS12T1G Rochester Electronics 350 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, CASE 318F-05, SC-74, SC-59ML, 6 PIN 下载
SMS12T1G ON Semiconductor(安森美) ESD / Surge Protector 12 V, SC-74 (SC-59ML) 6 LEAD, 3000-REEL 下载
SMS12T1G的相关参数为:

器件描述

ESD / Surge Protector 12 V, SC-74 (SC-59ML) 6 LEAD, 3000-REEL

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
零件包装代码SC-59ML
包装说明R-PDSO-G6
针数6
制造商包装代码318F-05
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID227128
Samacsys Pin Count6
Samacsys Part CategoryDiode
Samacsys Package CategorySOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint NameSC-74 CASE 318F-05
Samacsys Released Date2015-09-14 03:27:57
Is SamacsysN
最大击穿电压15 V
最小击穿电压13.3 V
击穿电压标称值14.1 V
最大钳位电压19 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1
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