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SMMBT3906LT3G

在2个相关元器件中,SMMBT3906LT3G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SMMBT3906LT3G Amphenol(安费诺) PNP Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL 下载
SMMBT3906LT3G ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR 下载
SMMBT3906LT3G的相关参数为:

器件描述

PNP Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称Amphenol(安费诺)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1
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