| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SMMBT3906LT3G | Amphenol(安费诺) | PNP Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL | 下载 |
| SMMBT3906LT3G | ON Semiconductor(安森美) | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR | 下载 |
PNP Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Amphenol(安费诺) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 300 ns |
| 最大开启时间(吨) | 70 ns |
| VCEsat-Max | 0.4 V |
| Base Number Matches | 1 |
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