| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SIHB22N60E-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | 下载 |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Samacsys Description | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级(Eas) | 367 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 21 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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