器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SI4800BD_V01 | Vishay(威世) | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | 下载 |
SI4800BDY | Vishay(威世) | 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
SI4800BDY_17 | Vishay(威世) | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | 下载 |
SI4800BDY-E3 | Vishay(威世) | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | 下载 |
SI4800BDY-T1 | Vishay(威世) | 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 30V 9A 2.5W | 下载 |
SI4800BDY-T1-E3 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:18.5mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V | 下载 |
SI4800BDY_V01 | Vishay(威世) | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | 下载 |
6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
表面贴装 | YES |
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