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SI4800B

在9个相关元器件中,SI4800B有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4800BD_V01 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800BDY Vishay(威世) 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
SI4800BDY_17 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800BDY-E3 Vishay(威世) Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 下载
SI4800BDY-T1 Vishay(威世) 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
SI4800BDY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 30V 9A 2.5W 下载
SI4800BDY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:18.5mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V 下载
SI4800BDY_V01 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800B的相关参数为:

器件描述

6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装YES
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