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RS1E3

在8个相关元器件中,RS1E3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
RS1E300GN ROHM(罗姆半导体) Nch 30V 80A Power MOSFET 下载
RS1E300GNTB ROHM(罗姆半导体) MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET 下载
RS1E320GN ROHM(罗姆半导体) Nch 30V 80A Power MOSFET 下载
RS1E320GNTB ROHM(罗姆半导体) MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET 下载
RS1E321GNTB1 ROHM(罗姆半导体) Power Field-Effect Transistor, 下载
RS1E350BN ROHM(罗姆半导体) Nch 30V 80A Power MOSFET 下载
RS1E350BNTB ROHM(罗姆半导体) MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET 下载
RS1E350GNTB ROHM(罗姆半导体) Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOP-8 下载
RS1E3的相关参数为:

器件描述

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HSOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.0028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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