器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
RS1E300GN | ROHM(罗姆半导体) | Nch 30V 80A Power MOSFET | 下载 |
RS1E300GNTB | ROHM(罗姆半导体) | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 下载 |
RS1E320GN | ROHM(罗姆半导体) | Nch 30V 80A Power MOSFET | 下载 |
RS1E320GNTB | ROHM(罗姆半导体) | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 下载 |
RS1E321GNTB1 | ROHM(罗姆半导体) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
RS1E350BN | ROHM(罗姆半导体) | Nch 30V 80A Power MOSFET | 下载 |
RS1E350BNTB | ROHM(罗姆半导体) | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 下载 |
RS1E350GNTB | ROHM(罗姆半导体) | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOP-8 | 下载 |
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | HSOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0028 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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