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RN60E2000BB14

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器件名 厂商 描 述 功能
RN60E2000BB14 Vishay(威世) Schottky Diodes u0026 Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A 下载
RN60E2000BB14的相关参数为:

器件描述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明Axial,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
构造Tubular
JESD-609代码e0
引线直径0.64 mm
引线长度38.1 mm
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装直径3.68 mm
封装长度8.74 mm
封装形状TUBULAR PACKAGE
封装形式Axial
包装方法BULK
额定功率耗散 (P)0.25 W
额定温度70 °C
参考标准MIL-R-10509
电阻200 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
表面贴装NO
技术METAL FILM
温度系数25 ppm/°C
端子面层Tin/Lead (Sn60Pb40)
端子形状WIRE
容差0.1%
工作电压300 V
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