器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
RN2114MFV | Toshiba(东芝) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Neg 50volts 100mA 1.0Kohms x 10Kohms | 下载 |
RN2114MFV,L3F | Toshiba(东芝) | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | 下载 |
RN2114MFV(TL3SONY) | Toshiba(东芝) | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 下载 |
RN2114MFV(TPL3) | Toshiba(东芝) | Bipolar Transistors - Pre-Biased -50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms | 下载 |
Bipolar Transistors - Pre-Biased Neg 50volts 100mA 1.0Kohms x 10Kohms
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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