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RFP12N10L

在7个相关元器件中,RFP12N10L有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
RFP12N10L Intersil ( Renesas ) 12 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
RFP12N10L New Jersey Semiconductor 12 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
RFP12N10L Fairchild Darlington Transistors Eight NPN Array 下载
RFP12N10L ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB 下载
RFP12N10L 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
RFP12N10L_Q Fairchild mosfet 功率 TO-220ab N-Ch power 下载
RFP12N10L_Q ON Semiconductor(安森美) MOSFET TO-220AB N-Ch Power 下载
RFP12N10L的相关参数为:

器件描述

12A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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