器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
RFP12N10L | Intersil ( Renesas ) | 12 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
RFP12N10L | New Jersey Semiconductor | 12 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
RFP12N10L | Fairchild | Darlington Transistors Eight NPN Array | 下载 |
RFP12N10L | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB | 下载 |
RFP12N10L | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | 下载 |
RFP12N10L_Q | Fairchild | mosfet 功率 TO-220ab N-Ch power | 下载 |
RFP12N10L_Q | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | 下载 |
12A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | TO-220AB, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved