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RCX120N20

在2个相关元器件中,RCX120N20有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
RCX120N20 ROHM(罗姆半导体) MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V 下载
RCX120N20 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
RCX120N20的相关参数为:

器件描述

MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V

参数
参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
ROHM(罗姆半导体)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220FP-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage200 V
Id - Continuous Drain Current12 A
Rds On - Drain-Source Resistance250 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3.25 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge15 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Bulk
Fall Time11 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
40 W
Rise Time33 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time27 ns
Typical Turn-On Delay Time20 ns
单位重量
Unit Weight
0.035274 oz
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