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R6015KNJTL

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器件名 厂商 描 述 功能
R6015KNJTL ROHM(罗姆半导体) NCH 600V 15A POWER MOSFET 下载
R6015KNJTL的相关参数为:

器件描述

NCH 600V 15A POWER MOSFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
雪崩能效等级(Eas)284 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.29 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)45 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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