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PTZTE2512B

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器件名 厂商 描 述 功能
PTZTE2512B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):12V(Min)~13.5V(Max) 反向漏电流:10uA @ 9V 最大功率:1W 下载
PTZTE2512B的相关参数为:

器件描述

精度:- 稳压值(典型值):12V(Min)~13.5V(Max) 反向漏电流:10uA @ 9V 最大功率:1W

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionZener Diode: ROHM\'s zener diodes are available in various lineup as 2-pin mold surfacemount type and complex type.
其他特性HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗8 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压12 V
最大反向电流10 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差5.88%
工作测试电流20 mA
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