器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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PSMN2R4-30MLD | Nexperia | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
PSMN2R4-30MLD_15 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology | 下载 |
PSMN2R4-30MLD_15 | NXP(恩智浦) | N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology | 下载 |
PSMN2R4-30MLDX | NXP(恩智浦) | MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm | 下载 |
PSMN2R4-30MLDX | Nexperia | —— | 下载 |
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型号 | PSMN2R4-30MLDX | PSMN2R4-30MLD |
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描述 | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道 |
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