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PSMN2R4-30MLD

eeworld网站中关于PSMN2R4-30MLD有5个元器件。有PSMN2R4-30MLD、PSMN2R4-30MLD_15等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
PSMN2R4-30MLD Nexperia 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道 下载
PSMN2R4-30MLD_15 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology 下载
PSMN2R4-30MLD_15 NXP(恩智浦) N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology 下载
PSMN2R4-30MLDX NXP(恩智浦) MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm 下载
PSMN2R4-30MLDX Nexperia —— 下载
关于PSMN2R4-30MLD相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
PSMN2R4-30MLD 、 PSMN2R4-30MLDX 下载文档
PSMN2R4-30MLDX 下载文档
PSMN2R4-30MLD_15 下载文档
PSMN2R4-30MLD资料比对:
型号 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD
描述 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道
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