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PMZ200UNEYL

在2个相关元器件中,PMZ200UNEYL有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PMZ200UNEYL NXP(恩智浦) ESD Suppressors / TVS Diodes 30V N-Channel Trench MOSFET 下载
PMZ200UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT883 下载
PMZ200UNEYL的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 30V SOT883

参数
参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码DFN
包装说明DFN1006-3, 3 PIN
针数3
制造商包装代码SOT883
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)1.4 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PBCC-N3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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器件入口   05 6C 6X 8K B2 C2 JC N7 Q1 RV RY V8 VZ WX ZF

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