器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PMZ200UNEYL | NXP(恩智浦) | ESD Suppressors / TVS Diodes 30V N-Channel Trench MOSFET | 下载 |
PMZ200UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | 下载 |
MOSFET N-CH 30V SOT883
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | DFN1006-3, 3 PIN |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT883 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 8 weeks |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.4 A |
最大漏源导通电阻 | 0.25 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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