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PMV22EN

在6个相关元器件中,PMV22EN有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PMV22EN Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) 5200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
PMV22EN NXP(恩智浦) TRANSISTOR 5200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal 下载
PMV22EN Nexperia Small Signal Field-Effect Transistor 下载
PMV22EN215 NXP(恩智浦) MOSFET Small Signal MOSFET 下载
PMV22EN,215 Nexperia PMV22EN - 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin 下载
PMV22EN,215 NXP(恩智浦) mosfet small signal mosfet 下载
PMV22EN的相关参数为:

器件描述

Small Signal Field-Effect Transistor

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionN-channel Trench MOSFET
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)5.2 A
最大漏源导通电阻0.022 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)4.17 W
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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