电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

PMV20ENR

在1个相关元器件中,PMV20ENR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PMV20ENR Nexperia 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道 MOSFET N-CH 30V 下载
PMV20ENR的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道 MOSFET N-CH 30V

参数
参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码TO-236
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time4 weeks
Samacsys DescriptionMOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   12 2C 55 59 5U 82 EO GO H1 JJ LJ PA SD XU Y5

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved