器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PMV20ENR | Nexperia | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道 MOSFET N-CH 30V | 下载 |
漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道 MOSFET N-CH 30V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 4 weeks |
Samacsys Description | MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.021 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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