| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| PMV16UN | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | 5800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | 下载 |
| PMV16UN | Nexperia | Small Signal Field-Effect Transistor | 下载 |
| PMV16UN | NXP(恩智浦) | TRANSISTOR 5800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal | 下载 |
| PMV16UN,215 | Nexperia | PMV16UN - 20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | 下载 |
| PMV16UN,215 | NXP(恩智浦) | mosfet small signal mosfet | 下载 |
| PMV16UN215 | NXP(恩智浦) | MOSFET Small Signal MOSFET | 下载 |
Small Signal Field-Effect Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | N-channel Trench MOSFET |
| 其他特性 | LOW THRESHOLD |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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