PMN70EPE/SOT457/SC-74
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4.4A(Ta) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 3.3A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.5nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 370pF @ 15V |
| 功率耗散(最大值) | 570mW(Ta),6.25W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
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