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PMN70EPEX

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器件名 厂商 描 述 功能
PMN70EPEX Nexperia PMN70EPE/SOT457/SC-74 下载
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器件描述

PMN70EPE/SOT457/SC-74

参数
参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)80 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)11.5nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)370pF @ 15V
功率耗散(最大值)570mW(Ta),6.25W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装6-TSOP
封装/外壳SC-74,SOT-457
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