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PHD13003C

eeworld网站中关于PHD13003C有8个元器件。有PHD13003C、PHD13003C,126等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
PHD13003C WeEn Semiconductors NPN power transistor with integrated diode 下载
PHD13003C,126 NXP(恩智浦) TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92 下载
PHD13003C126 NXP(恩智浦) Thick Film Resistors - SMD 1/10watt 10Kohms 1% 下载
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN 下载
PHD13003C_15 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) NPN power transistor with integrated diode 下载
PHD13003C_15 NXP(恩智浦) NPN power transistor with integrated diode 下载
PHD13003C,412 NXP(恩智浦) Bipolar Transistors - BJT Single NPN 1.5A 2.1W 下载
PHD13003C,412 WeEn Semiconductors 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN 下载
关于PHD13003C相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
PHD13003C,126 、 PHD13003C,412 下载文档
PHD13003C_15 下载文档
PHD13003C126 下载文档
PHD13003C,412 下载文档
PHD13003C,126 下载文档
PHD13003C资料比对:
型号 PHD13003C,412 PHD13003C,126
描述 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN
厂商名称 WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
包装说明 , ,
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
Is Samacsys N N
Base Number Matches 1 1
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