器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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PESD12VS2UQ | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | 150 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE | 下载 |
PESD12VS2UQ | NXP(恩智浦) | 150 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE | 下载 |
PESD12VS2UQ | Nexperia | Trans Voltage Suppressor Diode | 下载 |
PESD12VS2UQ,115 | Nexperia | TVS DIODE 12V 35V SOT663 | 下载 |
PESD12VS2UQ,115 | NXP(恩智浦) | PESDxS2UQ series - Double ESD protection diodes in SOT663 package SOT 3-Pin | 下载 |
PESD12VS2UQT/R | NXP(恩智浦) | TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,12V V(RWM),SOT-663 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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PESD12VS2UQ,115 、 PESD12VS2UQT/R | 下载文档 |
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型号 | PESD12VS2UQT/R | PESD12VS2UQ,115 |
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描述 | TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,12V V(RWM),SOT-663 | PESDxS2UQ series - Double ESD protection diodes in SOT663 package SOT 3-Pin |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
Reach Compliance Code | unknown | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大击穿电压 | 15.3 V | 15.75 V |
最小击穿电压 | 14.7 V | 14.25 V |
击穿电压标称值 | 15 V | 15 V |
最大钳位电压 | 35 V | 35 V |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 150 W | 110 W |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 12 V | 12 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
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