器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PDTA115ES | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm | 下载 |
PDTA115ES | NXP(恩智浦) | 20 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 下载 |
PDTA115ES | Nexperia | Small Signal Bipolar Transistor | 下载 |
PDTA115ES126 | NXP(恩智浦) | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BISS AMMO LARGE | 下载 |
PDTA115ES,126 | NXP(恩智浦) | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | 下载 |
Small Signal Bipolar Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.02 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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