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PDTA115ES

在5个相关元器件中,PDTA115ES有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PDTA115ES Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm 下载
PDTA115ES NXP(恩智浦) 20 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
PDTA115ES Nexperia Small Signal Bipolar Transistor 下载
PDTA115ES126 NXP(恩智浦) Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BISS AMMO LARGE 下载
PDTA115ES,126 NXP(恩智浦) TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 下载
PDTA115ES的相关参数为:

器件描述

Small Signal Bipolar Transistor

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.02 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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