器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PD57030-E | ST(意法半导体) | RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 下载 |
PD57030-E_10 | ST(意法半导体) | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 下载 |
RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, POWER, PLASTIC, SO-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 25 weeks |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
最大漏极电流 (ID) | 4 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 165 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 52.8 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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