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PD57030-E

在2个相关元器件中,PD57030-E有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PD57030-E ST(意法半导体) RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 下载
PD57030-E_10 ST(意法半导体) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET 下载
PD57030-E的相关参数为:

器件描述

RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOT
包装说明ROHS COMPLIANT, POWER, PLASTIC, SO-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time25 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度165 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)52.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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