| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| PD43-822M | API Delevan | Fixed Inductors 8.2uH 20% .146ohm Choke SMT Inductor | 下载 |
| PD438B | - | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B | EVERLIGHT | 波长:940nm 电流 - 暗:5nA (Typ) 频谱范围:840nm~1100nm 电流 - 集电极(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- | 下载 |
| PD438B-C1 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B/C1 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B/C2 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B-C2 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B/C2/F272 | EVERLIGHT | Photo Diode | 下载 |
| PD438B/C2/L1 | EVERLIGHT | Photo Diode | 下载 |
| PD438B-L1 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438BL1 | EVERLIGHT | 4.8mm Semi-Lens Silicon PIN Photodiode | 下载 |
| PD438B/L1 | EVERLIGHT | —— | 下载 |
| PD438B-L1_05 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B/L2 | EVERLIGHT | Photo Diode | 下载 |
| PD438B-S46 | EVERLIGHT | PIN PHOTO DIODE | 下载 |
| PD438B/S46 | EVERLIGHT | photodiode pin IR 4.8mm cyl BK | 下载 |
| PD438B/TR1(R) | EVERLIGHT | Optoelectronic Device, | 下载 |
| PD438C | EVERLIGHT | —— | 下载 |
| PD438C/L1 | EVERLIGHT | Photo Diode | 下载 |
| PD438C/L2 | EVERLIGHT | Photo Diode | 下载 |
| PD438CN-RXX | 新侨光电(Xinqiao Optoelectronic) | Photo Diode | 下载 |
| PD438C-S46 | EVERLIGHT | Photo IC Sensors UV(A) Light Sensor I2C Infce 16-bit | 下载 |
| PD438C/S46 | EVERLIGHT | 波长:940nm 电流 - 暗:5nA (Typ) 频谱范围:840nm~1100nm 电流 - 集电极(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- 4.8mm,λp =940nm | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| PD438B-C2 、 PD438B/C2 | 下载文档 |
| PD438B-C1 、 PD438B/C1 | 下载文档 |
| PD438B-L1 、 PD438B-L1_05 | 下载文档 |
| PD438C-S46 | 下载文档 |
| PD438C | 下载文档 |
| PD438BL1 | 下载文档 |
| PD438C/L1 | 下载文档 |
| PD438C/L2 | 下载文档 |
| PD438CN-RXX | 下载文档 |
| PD438B/TR1(R) | 下载文档 |
| 型号 | PD438B-L1 | PD438B-L1_05 |
|---|---|---|
| 描述 | PIN PHOTO DIODE | PIN PHOTO DIODE |
| 最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 无铅 | Yes | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE |
| 端子涂层 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 结构 | SINGLE | SINGLE |
| 光电器件类型 | PHOTO DIODE | PHOTO DIODE |
| 最大暗电流 | 10 nA | 10 nA |
| 红外测距 | Yes | Yes |
| 额定光电流 | 4 mA | 4 mA |
| 额定灵敏度波长 | 940 nm | 940 nm |
| 最小反向击穿电压 | 32 V | 32 V |
| 外形 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 尺寸 | 6.6 mm | 6.6 mm |
| 工艺 | PIN | PIN |
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