器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
NVMFD5C466NLWFT1G | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL | 下载 |
MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
制造商包装代码 | 506BT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Samacsys Description | Power MOSFET 40V, 52A, 7.4 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level. |
雪崩能效等级(Eas) | 72 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 52 A |
最大漏极电流 (ID) | 15 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0126 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 13 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 38 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 198 A |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
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