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NVMFD5C466NLWFT1G

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器件名 厂商 描 述 功能
NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor(安森美) MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载
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器件描述

MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
制造商包装代码506BT
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time8 weeks
Samacsys DescriptionPower MOSFET 40V, 52A, 7.4 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
雪崩能效等级(Eas)72 mJ
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)52 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.0126 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)13 pF
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)198 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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