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NTMFS08N003C

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器件名 厂商 描 述 功能
NTMFS08N003C ON Semiconductor(安森美) PTNG 80/20V IN 5X6CLIP 下载
NTMFS08N003C的相关参数为:

器件描述

PTNG 80/20V IN 5X6CLIP

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)22A(Ta),147A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.1 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 310µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)73nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5350pF @ 40V
功率耗散(最大值)2.7W(Ta),125W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装Power56
封装/外壳8-PowerTDFN
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