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NCEP016N85LL

在3个相关元器件中,NCEP016N85LL有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NCEP0160F Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 下载
NCEP0160G Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/60A,8.5mΩ; 下载
NCEP0160G NCE Power NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 下载
NCEP016N85LL的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻10.8mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)
类型N沟道
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