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MXSMCG51Ae3

eeworld网站中关于MXSMCG51Ae3有4个元器件。有MXSMCG51AE3、MXSMCG51AE3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MXSMCG51AE3 Microsemi TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB 下载
MXSMCG51AE3 Microchip(微芯科技) 82.4V 夹子 18.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMCG(DO-215AB) 下载
MXSMCG51AE3TR Microsemi 1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN 下载
MXSMCG51AE3/TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN 下载
关于MXSMCG51Ae3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
MXSMCG51AE3 、 MXSMCG51AE3/TR 下载文档
MXSMCG51AE3TR 下载文档
MXSMCG51Ae3资料比对:
型号 MXSMCG51AE3/TR MXSMCG51AE3
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大击穿电压 62.7 V 62.7 V
最小击穿电压 56.7 V 56.7 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-215AB DO-215AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 1500 W 1500 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.56 W 1.56 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500 MIL-19500
最大重复峰值反向电压 51 V 51 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
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