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MXPLAD15KP11A

eeworld网站中关于MXPLAD15KP11A有7个元器件。有MXPLAD15KP11A、MXPLAD15KP11A等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MXPLAD15KP11A Microsemi TVS DIODE 11V 18.2V PLAD 下载
MXPLAD15KP11A Microchip(微芯科技) 18.2V 夹子 822A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD 下载
MXPLAD15KP11AE3 Microsemi TVS DIODE 11V 18.2V PLAD 下载
MXPLAD15KP11AE3 Microchip(微芯科技) 18.2V 夹子 822A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD 下载
MXPLAD15KP11AE3TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 下载
MXPLAD15KP11AE3/TR Microchip(微芯科技) Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon 下载
MXPLAD15KP11ATR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-1 下载
关于MXPLAD15KP11A相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
MXPLAD15KP11A 、 MXPLAD15KP11AE3 下载文档
MXPLAD15KP11AE3/TR 、 MXPLAD15KP11AE3TR 下载文档
MXPLAD15KP11ATR 下载文档
MXPLAD15KP11A资料比对:
型号 MXPLAD15KP11AE3/TR MXPLAD15KP11AE3TR
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microsemi
包装说明 R-PSSO-G1 R-PSSO-G1
Reach Compliance Code compli compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大击穿电压 13.5 V 13.5 V
最小击穿电压 12.2 V 12.2 V
击穿电压标称值 12.85 V 12.85 V
外壳连接 CATHODE CATHODE
最大钳位电压 18.2 V 18.2 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G1 R-PSSO-G1
最大非重复峰值反向功率耗散 15000 W 15000 W
元件数量 1 1
端子数量 1 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 2.5 W 2.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500 MIL-19500
最大重复峰值反向电压 11 V 11 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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