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MXLSMCJ33CAe3

在4个相关元器件中,MXLSMCJ33CAe3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MXLSMCJ33CAe3 Microsemi ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor 下载
MXLSMCJ33CAE3 Microchip(微芯科技) 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ) 下载
MXLSMCJ33CAE3TR Microsemi 1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN 下载
MXLSMCJ33CAE3/TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN 下载
MXLSMCJ33CAe3的相关参数为:

器件描述

ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-J2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压40.6 V
最小击穿电压36.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-J2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.56 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
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