| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MSMLG43AE3 | Microsemi | TVS DIODE 43V 69.4V DO215AB | 下载 |
| MSMLG43AE3 | Microchip(微芯科技) | 69.4V 夹子 43.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMLG(DO-215AB) | 下载 |
| MSMLG43AE3/TR | Microsemi | ESD 抑制器/TVS 二极管 | 下载 |
| MSMLG43AE3TR | Microsemi | 3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN | 下载 |
TVS DIODE 43V 69.4V DO215AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DO-215AB |
| 包装说明 | R-PDSO-G2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 52.8 V |
| 最小击穿电压 | 47.8 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-215AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1.61 W |
| 参考标准 | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压 | 43 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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