| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MS2473 | Microsemi | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.500 INCH, HERMETIC SEALED, 2LFL, M112, 2 PIN | 下载 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.500 INCH, HERMETIC SEALED, 2LFL, M112, 2 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1454485737 |
| 包装说明 | 0.400 X 0.500 INCH, HERMETIC SEALED, 2LFL, M112, 2 PIN |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 0 |
| 外壳连接 | BASE |
| 最大集电极电流 (IC) | 46 A |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2300 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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